数据库分类：A电子信息 → Af电子元器件 → Af003大功率半导体器件

所处阶段：生长期

成果简介：

        氮化镓（GaN）材料体系（包括 InN、GaN、 AlN 及其合金，禁带宽度从 0.7-6.2eV，波长范围从 1.77μm-200nm）光谱范围覆盖了从近红外到深紫外全波段，也是做蓝光器件的理想材料。以 GaN 为核心材料的蓝光激光器在激光显示、激光加工、激光照明等领域有重要的应用价值，市场空间巨大。

        目前，日本日亚公司的蓝光激光器产品处于世界领先水平，已广泛应用于激光显示、激光投影和工业加工等领域。国内包括中科院半导体所、中国科学院苏州纳米所、北京大学等多家学术机构也一直进行 GaN 基蓝光激光器的研究。其中半导体所已研制出功率超过2W，寿命超过1000 小时的蓝光激光器，处于国际先进水平。

技术特点：

        （1）效率高、体积小、重量轻且价格低；

        （2）近单色性，采用半导体激光器作 为显示光源的系统具有色彩分辨率高、色彩饱和度高的特点；

        （3）具有更好的可控性，包括光色可调、时间空间可控；

        （4）具有高速通信功能。

应用领域：

        GaN 基激光器材料是信息领域的重要材料。激光显示、激光投影、激光照明是 GaN 基激光器的重要应用领域。由于 GaN 基半导体激光器具有独特的优势，激光显示和投影所需的红绿蓝三基色光源将逐渐全部半导体化。在激光显示和微型投影需求的牵引下， GaN 基蓝光激光二极管也将得到迅速发展， 预计2035 年GaN 基蓝光激光二极管的市场规模将达到数十亿美元，已成为是当今国际上的研究热点。

合作方式：

        知识产权许可、技术转让、技术服务。

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